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小型存儲(chǔ)記憶卡大受歡迎 Flash解決密度與成本之間的問(wèn)題

便攜式產(chǎn)品的普及,，刺激閃存裝置市場(chǎng)的成長(zhǎng),。對(duì)于在行動(dòng)產(chǎn)品上程序與數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性儲(chǔ)存,，閃存是最適合的解決方案，不論是主機(jī)板上的內(nèi)存或小型的記憶卡,，閃存的非揮發(fā)性儲(chǔ)存突破過(guò)去光學(xué)與磁性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的限制,，不僅穩(wěn)固，低耗電,，還不用移動(dòng)裝置零件,，因此對(duì)行動(dòng)裝置而言是最理想的解決方案,。 

便攜式產(chǎn)品的普及，刺激閃存裝置市場(chǎng)的成長(zhǎng),。對(duì)于在行動(dòng)產(chǎn)品上程序與數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性儲(chǔ)存,，閃存是最適合的解決方案...

閃存?zhèn)鹘y(tǒng)用途為儲(chǔ)存程序代碼，但在近來(lái)的應(yīng)用上,，則是以非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存為主,。而閃存在市場(chǎng)消費(fèi)性市場(chǎng)的儲(chǔ)存需求蓬勃發(fā)展，帶動(dòng)各大半導(dǎo)體公司大動(dòng)作布局,，除了AMD和富士通合資成立Spansion之外,，英飛凌與Saifun半導(dǎo)體合資成立英飛凌閃存公司(Infineon Technologies Flash)，推出Twin Flash技術(shù),，以發(fā)展迅速的數(shù)據(jù)閃存為主要目標(biāo)市場(chǎng),。 

NOR或NAND？ 

目前市場(chǎng)上閃存主要分為兩個(gè)邏輯架構(gòu),，NOR(基于「Not-OR」邏輯架構(gòu))以及NAND(基于「Not-AND」邏輯架構(gòu)),。取代PROM的需求導(dǎo)致閃存技術(shù)的起源，原先主要功能只是儲(chǔ)存程序代碼,，也因此第一代的閃存是采用NOR架構(gòu),，因?yàn)楸绕餘AND，其平行架構(gòu)能加速數(shù)據(jù)讀取與位重寫(xiě)的時(shí)間,。但比起NOR,，NAND的內(nèi)存細(xì)胞(Memory cell)與個(gè)別區(qū)塊明顯較小，在寫(xiě)入/消除速度上較快,，程序編程時(shí)耗電率較低,，而且內(nèi)存細(xì)胞數(shù)組密度較高，能提升芯片每sqmm的內(nèi)存容量,。 

由于架構(gòu)上的差異,，NOR與NAND兩者的主要應(yīng)用型態(tài)便不同。如果是著重速度的程序代碼儲(chǔ)存,，NOR顯然就是最佳選擇,，因?yàn)槠渌俣饶苤С殖绦虼a的直接執(zhí)行。在NOR裝置中,，如SRAM,，總線接口則具有個(gè)別的數(shù)據(jù)、地址與控制命令行,，每個(gè)字節(jié)都可以直接存取,。NOR一般應(yīng)用于行動(dòng)電話、PDA、視訊轉(zhuǎn)換盒,、調(diào)制解調(diào)器,、傳真機(jī)、打印機(jī)以及計(jì)算機(jī)Bios中,。若是要儲(chǔ)存大型數(shù)據(jù)文件,，NAND則是主流選擇，因?yàn)槠涿總€(gè)位的成本較低,，因此,，在數(shù)字相機(jī)、行動(dòng)電話,、隨身碟或PDA中,，廣泛使用NAND型閃存做為儲(chǔ)存媒體，通常是采用記憶卡形式(如SD卡,、多媒體記憶卡,、Compact Flash或MemoryStick)。由于內(nèi)部連結(jié)的細(xì)胞串(Interconnected cell string)設(shè)計(jì),，NAND芯片體積比NOR回路顯著較小(約40%),。NAND使用多任務(wù)I/O來(lái)處理地址與數(shù)據(jù)，并不需要額外控制腳針(additional control pin)與后續(xù)數(shù)據(jù)存取,。 

閃存技術(shù)分為SLC,、MLC與MBC 

閃存技術(shù)執(zhí)行上可分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)與MBC(Multi Bit Cell),。在使用內(nèi)存細(xì)胞的方式上,，SLC閃存裝置與EEPROM相同，但在浮置閘極(Floating gate)與源極(Source)之中的氧化薄膜更薄,。數(shù)據(jù)的寫(xiě)入是透過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓,，然后可透過(guò)源極將所儲(chǔ)存的電荷消除。藉由這樣的方式,，便可儲(chǔ)存一個(gè)個(gè)信息位(1代表消除,，0代表寫(xiě)入)。此種單一位細(xì)胞方式能提供快速的程序編程與讀取,。此方法受限于低硅效率(Silicon efficiency)的問(wèn)題,，唯有透過(guò)先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements)，才能提升SLC裝置的應(yīng)用范圍,。 

MLC閃存則在浮置閘極中使用不同程度的電荷,，因此能在單一晶體管(transistor)中儲(chǔ)存二位的信息，并透過(guò)內(nèi)存細(xì)胞的寫(xiě)入與感應(yīng)的控制,，在單一晶體管中產(chǎn)生4層單元,。此種方式的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度中等,，且需要最佳化的感應(yīng)電路(sensing circuitry),。 

MBC閃存,，如TwinFlash細(xì)胞體，則將電荷(也就是數(shù)據(jù)位)個(gè)別儲(chǔ)存在晶體管中不同的兩端,，而儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)亦可個(gè)別加以讀取,、寫(xiě)入并消除。MBC閃存將個(gè)別的二位儲(chǔ)存于一個(gè)細(xì)胞體內(nèi),，所提供的架構(gòu)不僅成本低,，寫(xiě)入/讀取的速度快，還有密度高等優(yōu)點(diǎn),。 

TwinFlash技術(shù)利用二氧化氮介電質(zhì)儲(chǔ)存電荷 

浮置閘極的技術(shù)是以感應(yīng)散布在閘極上方的電荷數(shù)量來(lái)做為數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的基礎(chǔ),，而英飛凌的TwinFlash技術(shù)則使用在閘極左方或右方的局部電極來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。TwinFlash裝置的閘極結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單,，因此光罩層數(shù)量也比較少,。 

TwinFlash的基礎(chǔ)技術(shù)是使用二氧化氮(oxide-nitride-oxide,ONO)介電質(zhì)來(lái)儲(chǔ)存電荷，透過(guò)信道熱電子注入(channel hot electron injection)來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù),，然后透過(guò)強(qiáng)化熱電洞注入(tunneling enhanced hot hole injection)來(lái)消除資料,。比起浮置閘極技術(shù)，其優(yōu)點(diǎn)如下： 

◆比起SLC閃存芯片,，位大小大幅縮減,，進(jìn)而提高芯片密度。 

◆生產(chǎn)過(guò)程簡(jiǎn)化,，且所需光罩層數(shù)量更少,。 

◆位保存的可靠度更高。 

◆更佳的可擴(kuò)充性(視CMOS而定)  

TwinFlash技術(shù)可以用制造DRAM的現(xiàn)有設(shè)備生產(chǎn),，無(wú)須額外的生產(chǎn)設(shè)備投資,，因此每個(gè)晶圓的成本架構(gòu)與DRAM產(chǎn)品相似。TwinFlash的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是每一晶體管一位的浮置閘極技術(shù),，但即使采用相同的制程架構(gòu)(基于相同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)),，由于TwinFlash的每一晶體管二位的方式，其核心尺寸比浮置閘極小了40%,，再加上光罩層較少,，生產(chǎn)成本相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力。早期的TwinFlash是采用170奈米制程技術(shù),，而目前正發(fā)展下一代TwinFlash技術(shù)節(jié)點(diǎn)的尺寸則僅有110奈米,，不僅能減少成本，更能將密度提升至2Gbit,。在MBC上加入MLC的功能,，也就是建立在每個(gè)內(nèi)存細(xì)胞中儲(chǔ)存4位的架構(gòu)，目前在技術(shù)上是可行的，相信日后將應(yīng)用于實(shí)際產(chǎn)品上,。TwinFlash技術(shù)可以用于NAND與NOR閃存上,。透過(guò)此能彈性調(diào)整的技術(shù)，英飛凌將能依據(jù)市場(chǎng)需求來(lái)分配生產(chǎn)資源,。 

第一代TwinFlash的512Mbit芯片(2.7V～3.7V)采用TSOP封裝,，目標(biāo)為可移除式固態(tài)儲(chǔ)存裝置市場(chǎng)，產(chǎn)品包含用于數(shù)字相機(jī)與PDA的SD卡,、多媒體記憶卡,、Compact-Flash-Cards與Memory Sticks。NAND閃存則是USB快閃碟的最佳儲(chǔ)存媒體,，可以讓桌上型計(jì)算機(jī)與筆記型計(jì)算機(jī)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,，也可以用于具M(jìn)P3或數(shù)字相機(jī)功能的復(fù)合式隨身碟。此外,，NAND閃存芯片具高速傳輸特色,，亦能實(shí)時(shí)錄制并播放影音數(shù)據(jù)。隨著這些功能重要性的提升,，行動(dòng)電話制造商逐漸部署閃存數(shù)據(jù)的應(yīng)用,。市面上越來(lái)越多行動(dòng)電話使用快閃記憶卡做為媒介，以提高平臺(tái)/應(yīng)用的彈性,、交換性與可擴(kuò)充性,。行動(dòng)電話的發(fā)展從2G發(fā)展至2.5G到現(xiàn)在的3G，這樣的趨勢(shì)顯示出行動(dòng)電話數(shù)據(jù)快閃記憶儲(chǔ)存量正快速成長(zhǎng),。最新的3G行動(dòng)電話能提供高達(dá)80MB閃存密度,，做為程序代碼與數(shù)據(jù)的內(nèi)建儲(chǔ)存之用，此外還具備了閃存的擴(kuò)充槽,，目前能擴(kuò)充到1Gb的容量(以配合影像等應(yīng)用),。 

儲(chǔ)存需求殷切NAND Flash密度將逐步提高 

根據(jù)Gartner Dataquest的預(yù)測(cè)，資料閃存(NAND)全球市場(chǎng)將從2003年的33.6億美元,，成長(zhǎng)到2004年的44億美元,，2005年將高達(dá)57億美元，成長(zhǎng)幅度為30.8%,。在未來(lái)的5年內(nèi),，快閃記憶卡市場(chǎng)的年度成長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)18%，市場(chǎng)營(yíng)收將從2003年的27.5億美元,，成長(zhǎng)到2007年的45.9億美元,。 

2002年，在整個(gè)閃存市場(chǎng)中,，NOR產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率為73%,，但從年復(fù)合成長(zhǎng)率(Cumulated average growth rate)來(lái)估計(jì),，NAND產(chǎn)品到2007年會(huì)有較高的成長(zhǎng)率。因此可預(yù)見(jiàn)的是,，NOR型的閃存雖然在目前獲利比率最高,，但NAND兼容型的產(chǎn)品也漸漸迎頭趕上，因?yàn)镹AND具有較佳的USD/Mbyte比,，再加上無(wú)線應(yīng)用科技對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置的需求日漸增加，而目前NOR Flash都達(dá)不到所需要的512Mbit/1Gbit的密度─使用在行動(dòng)電話與視訊轉(zhuǎn)換盒的NOR Flash,，其平均密度只有在16～128Mbit,，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如NAND裝置512Mbit～8Gbit密度。 

與NAND兼容的TwinFlash技術(shù)能提供記憶卡具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,，目前在數(shù)字相機(jī),、USB磁盤(pán)與相當(dāng)多不同類(lèi)型的快閃記憶卡上，已獲得廣泛應(yīng)用,。USB磁盤(pán)早已開(kāi)始取代傳統(tǒng)軟盤(pán)機(jī),，而數(shù)字相機(jī)隨著照片分辨率提高，對(duì)記憶容量的需求也將增加,。 

多樣化標(biāo)準(zhǔn)競(jìng)逐小型化記憶卡將成兵家必爭(zhēng)之地 

英飛凌目前提供SD卡與MMC記憶卡,，很快會(huì)提供各種mini記憶卡。英飛凌的整合式32Bit控制器不僅增加了邏輯接口,，并能在未來(lái)提供安全,、高速與低電壓等功能。SD卡重量?jī)H2公克左右,，是一種相當(dāng)精細(xì)且非揮發(fā)性的閃存裝置,，結(jié)合了高容量、快速數(shù)據(jù)傳輸,、高彈性,，以及與MMC相似的小型體積等優(yōu)點(diǎn)。然而與MMC不同的是,，SD卡具有機(jī)械式寫(xiě)入保護(hù)開(kāi)關(guān)(mechanical write protect switch),，以免消費(fèi)者不小心復(fù)寫(xiě)卡片中的數(shù)據(jù)，導(dǎo)致數(shù)據(jù),、影像或音訊數(shù)據(jù)的消失,。SD卡一般的容量為64MB、128MB與256MB,。 

MMC是世上最小型可移除式固態(tài)錄制媒體之一,，可供多種行動(dòng)產(chǎn)品的應(yīng)用，如MP3播放器,、攜帶式電子游戲機(jī),、PDA,、行動(dòng)電話與數(shù)字相機(jī)。MMC技術(shù)于1997年11月推出,，而英飛凌是MMC的共同發(fā)展廠商之一,。MMC發(fā)展為行動(dòng)電話的主要儲(chǔ)存媒體。然而,，隨著行動(dòng)電話越來(lái)越強(qiáng)調(diào)體積小巧,，業(yè)者正逐漸改用體積更為迷你的記憶卡。MMC的封裝采用簡(jiǎn)單的7針序列接口,，能與現(xiàn)今許多攜帶式裝置的硬件平臺(tái)能輕松的整合,。 

MMC的重量不到2公克，大小跟一張郵票差不多,。這種標(biāo)準(zhǔn)化的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存卡不僅便利可靠,，功能穩(wěn)固且輕如羽毛，目前容量最高達(dá)256MB,，可以儲(chǔ)存超過(guò)4小時(shí)CD音質(zhì)的MP3音樂(lè),，或差不多16萬(wàn)頁(yè)的印刷內(nèi)容，而且MMC的容量還不斷快速增加,，預(yù)計(jì)在2009年初便可達(dá)到16GB,。