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小型存儲卡大受歡迎 TwinFlash處置成本與密度關(guān)系

可攜式產(chǎn)物的廣泛，影響閃存設(shè)備商場的生長,。關(guān)于內(nèi)行動產(chǎn)物上按次與數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性貯存,，閃存是最適合的處置方案,，不論是主機板上的內(nèi)存或小型的回想卡,，閃存的非揮發(fā)性貯存打破曾經(jīng)光學(xué)與磁性數(shù)據(jù)貯存的捆綁，不只安靖,，低耗電,，還不必移動設(shè)備零件，因而對行動設(shè)備而言是最理想的處置方案,。

NOR或NAND,？

閃存技能分為SLC,、MLC與MBC

閃存技能實施上可分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi
Level Cell)與MBC(Multi Bit Cell),。在運用內(nèi)存細(xì)胞的辦法上,，SLC閃存設(shè)備與EEPROM一樣，但在浮置閘極(Floating gate)與源極(Source)之中的氧化薄膜更薄,。數(shù)據(jù)的寫入是透過對浮置閘極的電荷加電壓,，然后可透過源極將所貯存的電荷消除。藉由這樣的辦法,，便可貯存一個個信息位(1代表消除,，0代表寫入)。此種單一位細(xì)胞辦法能供給疾速的按次編程與讀取,。此辦法受限于低硅功率(Silicon efficiency)的問題,，唯有透過搶先的流程強化技能(Process enhancements)，才調(diào)晉升SLC設(shè)備的運用計劃,。

MLC閃存則在浮置閘極中運用不一樣程度的電荷,，因而能在單一晶體管(transistor)中貯存二位的信息,，并透過內(nèi)存細(xì)胞的寫入與感應(yīng)的操控，在單一晶體管中發(fā)生4層單元,。此種辦法的數(shù)據(jù)讀寫速度中等,，且需要最佳化的感應(yīng)電路(sensing
circuitry)。

MBC閃存,，如TwinFlash細(xì)胞體,，則將電荷(也就是數(shù)據(jù)位)單個貯存在晶體管中不一樣的兩頭，而貯存的數(shù)據(jù)亦可單個加以讀取,、寫入并消除,。MBC閃存將單個的二位貯存于一個細(xì)胞體內(nèi)，所供給的架構(gòu)不只本錢低,，寫入/讀取的速度快,，還有密度高級利益。

TwinFlash技能運用
二氧化氮介電質(zhì)貯存電荷

浮置閘極的技能是以感應(yīng)分布在閘極上方的電荷數(shù)量來做為數(shù)據(jù)貯存的根底,，而英飛凌的TwinFlash技能則運用在閘極左方或右方的部分電極來貯存數(shù)據(jù),。TwinFlash設(shè)備的閘極計劃比較簡略，因而光罩層數(shù)量也比較少,。

TwinFlash的根底技能是運用二氧化氮(oxide-nitride-oxide,ONO)介電質(zhì)來貯存電荷,，透過信道熱電子寫入(channel hot electron injection)來寫入數(shù)據(jù)，然后透過強化熱電洞寫入(tunneling enhanced hot hole injection)來消除材料,。比起浮置閘極技能,，其利益如下：

◆比起SLC閃存芯片，位巨細(xì)大幅減縮,，進(jìn)而行進(jìn)芯片密度,。

◆出產(chǎn)進(jìn)程簡化,，且所需光罩層數(shù)量更少,。

◆位保管的牢靠度更高。

◆更佳的可擴充性(視CMOS而定)

TwinFlash技能可以用制作DRAM的現(xiàn)有設(shè)備出產(chǎn),，無須額定的出產(chǎn)設(shè)備出資,，因而每個晶圓的本錢架構(gòu)與DRAM產(chǎn)物類似。TwinFlash的競爭對手是每一晶體管一位的浮置閘極技能,，但即便選用一樣的制程架構(gòu)(依據(jù)一樣的技能節(jié)點),，由于TwinFlash的每一晶體管二位的辦法，其中心規(guī)范比浮置閘極小了40%,，再加上光罩層較少,，出產(chǎn)本錢恰當(dāng)具有競爭力。早期的TwinFlash是選用170奈米制程技能,，而其時正打開下一代TwinFlash技能節(jié)點的規(guī)范則僅有110奈米,，不只能削減本錢,，更能將密度晉升至2Gbit。在MBC上參加MLC的功用,，也就是建立在每個內(nèi)存細(xì)胞中貯存4位的架構(gòu),，其時在技能上是可行的，信任日后將運用于理論產(chǎn)物上,。TwinFlash技能可以用于NAND與NOR閃存上,。透過此能彈性調(diào)整的技能，英飛凌將能依據(jù)商場需要來分配出產(chǎn)資源,。

第一代TwinFlash的512Mbit芯片(2.7V～3.7V)選用TSOP封裝,，方針為可移除式固態(tài)貯存設(shè)備商場，產(chǎn)物包含用于數(shù)字相機與PDA
的SD卡,、多媒體回想卡,、Compact-Flash-Cards與Memory
Sticks。NAND閃存則是USB快閃碟的最佳貯存媒體,，可以讓桌上型計算機與筆記型計算機之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交流,，也可以用于具M(jìn)P3或數(shù)字相機功用的復(fù)合式隨身碟。此外,，NAND閃存芯片具高速傳輸特征,，亦能實時錄制并播映影音數(shù)據(jù)。跟著這些功用重要性的晉升,，行動電話制作商逐步安頓閃存數(shù)據(jù)的運用,。市面上越來越多行動電話運用快閃回想卡做為前語，曾經(jīng)進(jìn)平臺/運用的彈性,、交流性與可擴充性,。行動電話的打開從2G打開至2.5G到現(xiàn)在的3G，這樣的趨勢顯示出行動電話數(shù)據(jù)快閃回想貯存量正疾速生長,。最新的3G行動電話能供給高達(dá)80MB閃存密度,，做為按次代碼與數(shù)據(jù)的內(nèi)建貯存之用，此外還具有了閃存的擴充槽,，其時能擴充到1Gb的容量(以協(xié)作形象等運用),。

貯存需要深切NAND Flash密度將逐步行進(jìn)

依據(jù)Gartner Dataquest的猜測，材料閃存(NAND)全球商場將從2003年的33.6億美元,，生長到2004年的44億美元,，2005年將高達(dá)57億美元，生長高低為30.8%,。在將來的5年內(nèi),，快閃回想卡商場的年度生長率估量將達(dá)18%，商場營收將從2003年的27.5億美元,，生長到2007年的45.9億美元,。

2002年,，在整個閃存商場中，NOR產(chǎn)物的商場占有率為73%,，但從年復(fù)合生長率(Cumulated average growth
rate)來估量,，NAND產(chǎn)物到2007年會有較高的生長率。因而可預(yù)見的是,，NOR型的閃存雖然在其時獲利比率最高,，但NAND兼容型的產(chǎn)物也逐步迎頭趕上，由于NAND具有較佳的USD/Mbyte比,，再加上無線運用科技對數(shù)據(jù)貯存設(shè)備的需要日漸添加,，而其時NOR
Flash都達(dá)不到所需要的512Mbit/1Gbit的密度─運用內(nèi)行動電話與視訊轉(zhuǎn)換盒的NOR
Flash，其均勻密度只要在16～128Mbit,，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如NAND設(shè)備512Mbit～8Gbit密度,。

與NAND兼容的TwinFlash技能能供給回想卡具競爭力的價值，其時在數(shù)字相機,、USB磁盤與恰當(dāng)多不一樣類型的快閃回想卡上,，已取得廣泛運用。USB磁盤早已開始替代傳統(tǒng)軟盤機,，而數(shù)字相機跟著相片分辨率行進(jìn),，對回想容量的需要也將添加。

英飛凌其時供給SD卡與MMC回想卡,，很快會供給各種mini回想卡,。英飛凌的聯(lián)絡(luò)式32Bit操控器不只添加了邏輯接口，并能在將來供給安全,、高速與低電壓等功用,。SD卡分量僅2公克左右，是一種恰當(dāng)精密且非揮發(fā)性的閃存設(shè)備,，聯(lián)絡(luò)了高容量,、疾速數(shù)據(jù)傳輸、高彈性,，以及與MMC類似的小型體積等利益,。可是與MMC不一樣的是,，SD卡具有機械式寫入維護(hù)開關(guān)(mechanical write
protect switch)，避免消耗者不小心復(fù)寫卡片中的數(shù)據(jù),，惹起數(shù)據(jù),、形象或消息數(shù)據(jù)的不見。SD卡通常的容量為64MB,、128MB與256MB,。

MMC是世上最小型可移除式固態(tài)錄制媒體之一,，可供多種行動產(chǎn)物的運用，如MP3播映器,、攜帶式電子游戲機,、PDA、行動電話與數(shù)字相機,。MMC技能于1997年11月推出,，而英飛凌是MMC的一同打開廠商之一。MMC打開為行動電話的首要貯存媒體,?？墒牵袆与娫捲絹碓狡伢w積細(xì)巧,，業(yè)者正逐步改用體積更為迷你的回想卡,。MMC的封裝選用簡略的7針序列接口，能與如今許多攜帶式設(shè)備的硬件平臺能輕松的聯(lián)絡(luò),。

MMC的分量不到2公克,，巨細(xì)跟一張郵票差不多。這種規(guī)范化的數(shù)據(jù)貯存卡不只便當(dāng)牢靠,，功用安靖且輕如羽毛,，其時容量最高達(dá)256MB，可以貯存跨越4小時CD音質(zhì)的MP3音樂,，或差不多16萬頁的印刷內(nèi)容,，并且MMC的容量還不斷疾速添加，估量在2005年頭便可抵達(dá)1GB,。