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處理器頻率躍進


最新的Pentium4計算機在全速運轉(zhuǎn)時耗電大約為50瓦,而Intel專門針對服務(wù)器與工作站應(yīng)用所設(shè)計的最新Itanium處理器耗電則大幅攀升到130瓦,另一方面,其它的制造商,如IBM與AMD所生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品也有類似的功率需求,不過消耗功率所代表的僅僅是目前直流─直流轉(zhuǎn)換器要求的一部份,因為將電壓由以往的5V降到低于1V,在相同的功率消耗情況下,電流的需求卻提升了5倍之多。

在轉(zhuǎn)換器設(shè)計中,功率耗損大約等于負載電流的平方,因此將電流提升5倍就會造成大約25倍的功率耗損,大部份的討論都將焦點放在采用新的改良型組件或電路組態(tài)來改善效率,雖然可以將耗損控制在以較線性的方式增加,但要將最新功率轉(zhuǎn)換器上愈來愈高的熱能移除也引發(fā)了系統(tǒng)包裝方式的快速改變。

如果這樣聽起來挑戰(zhàn)性還不夠,那么伴隨因特網(wǎng)而來的服務(wù)器快速成長需求也為服務(wù)器帶來全新的要求,因為必須要能夠容納在一個機箱高度(1U)單位的機殼中,這項要求縮減了超過一半的可用空間,并且將電流密度提升了約10倍。依業(yè)界預(yù)估,功率密度的需求將從2000年的每平方英寸5瓦快速提升到2006年的每平方英寸20瓦。

為了解決這些挑戰(zhàn),設(shè)計工程師已經(jīng)開始采用更有效率的多相位轉(zhuǎn)換器,同時提升可使用散熱片的氣流量與尺寸,雖然加入強制式氣流散熱功能是讓目前轉(zhuǎn)換器能夠滿足較舊型處理器挑戰(zhàn)的重大突破,但由于在有限空間內(nèi)快速移動氣流所帶來噪聲的影響,因此會限制氣流量的提升。現(xiàn)有的系統(tǒng)雖然在可接受的噪聲范圍內(nèi),但較高的氣流還是無法滿足現(xiàn)有包裝,如SO-8或加強型SO-8組件等透過將熱能由功率MOSFET傳送到電路板然后再送到散熱片上的要求。表1顯示了當MOSFET可以由包裝頂端直接散熱所帶來的大氣接面熱阻抗R(THj-a)的重大改善,將熱阻抗降低到1/3,可以帶來3倍的可允許功率消耗,或降低MOSFET接面溫度以改善可靠度,目前市面上有兩種新型包裝能夠讓熱能有效地由功率MOSFET組件的頂端與底端散熱。

散熱需求殷切封裝技術(shù)更上一層樓

其中一種包裝為第業(yè)界第一個完全針對功率半導體應(yīng)用所設(shè)計,專利的DirectFET技術(shù)表面黏著包裝,從表1中我們可以看到,這種形式的包裝可以由組件的頂端散熱讓熱能離開電路板,透過采用散熱片與冷卻氣流,這個MOSFET可以由包裝的頂端散去更多的熱能,與傳統(tǒng)的SO-8比較,可以降低運作溫度達50℃,高效率的頂端散熱可以將熱能由電路板移除,而冷卻整個電路則能提升組件所能承載的電流量,較高的頂端Rth(J-C)阻抗可以解釋為什么標準或衍生型SO-8包裝會使用透用電路板的單端冷卻方式,因此在效能上的些微提升就值回努力。

結(jié)合更新的硅芯片技術(shù)與新的改進型MOSFET包裝,加上使用最新,由Intel最新電壓穩(wěn)壓器規(guī)格VR 10.x所規(guī)范的散熱片尺寸可以用來作為目前可以達到效能的范例,請見表2。

用來描述可達到電流密度所采用的組件為IRF6608與IRF6618,由國際整流器公司最新的控制芯片IR3081與相位芯片IR3087所推動,請見表2,顯示了FET頂端與底端,底端FET上散熱片為VRM 10.x設(shè)計,尺寸為95mmx25mm(3.8英吋x 0.9英吋),電路板為6層板4 oz銅線并使用貫孔接點(pad-in-via)技術(shù),在輸出與輸入濾波器上則采用「全陶瓷」解決方案。

采用D-Pak或SO-8包裝組件的類似設(shè)計在每個相位上使用4到5顆組件,不僅增加零件數(shù),同時也帶來更高的包裝耗損與切換耗損,同時增加平行運作的MOSFET數(shù)目也會提高驅(qū)動器的耗損并影響效率,電路板的大小與布局的復(fù)雜度也將增加現(xiàn)場運作失效的可能性,并降低對1U服務(wù)器相當重要的功率密度,增加電路板面積不僅大幅增加設(shè)計的成本,同時也較輸出電壓為5V時產(chǎn)生更大的寄生耗損而影響轉(zhuǎn)換效率,這些限制顯示出這樣的解決方案甚至還無法滿足現(xiàn)有的需求。

新的包裝設(shè)計以400kHz運作以便將耗損降到最低,能夠在1.3V輸出時以相當小的電路板占用面積提供105A(每相位>20A)的電流輸出,并在每相位使用單一個控制與同步DirectFET MOSFET組件,DirectFETMOSFET組件厚度較低,因此可以直接安排在電路板的后端,并將散熱片直接放在DirectFET組件上,在符合VR1.0定義的規(guī)格內(nèi)取得最大的散熱片尺寸。散熱片是一個94mmx15mm(3.75英吋x 0.60英吋)大小的鋁鰭型散熱片,采用電氣隔離但可導熱的導熱接口物質(zhì)(Thermal Interface Material, TIM)將它黏貼到MOSFET上,在45°C環(huán)境溫度、400LFM氣流下所達到的電流密度大于5.4 A/cm2(35 A/in2),提供了新一代服務(wù)器用處理器一個相當具有成本效益的解決方案。

表3為這些30V控制與同步FET組件的規(guī)格,兩個組件的高電流承載能力(ID)主要來自于相當?shù)偷臏囟茸杩埂?/p>

由于新DirectFET的高溫度與電氣效率,因此可以達到較小的電路板面積與高效率的電路板布局安排,而IRF6608的更小尺寸也讓電路只有達到先前3.9 A/cm2(25 A/in2)電流密度IRF6604大小的一半。

 

 

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