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耐沖擊與震動表現(xiàn)出色　MEMS頻率可靠度躍進(jìn)

以石英芯片為基礎(chǔ)的振蕩器、頻率產(chǎn)生器及諧振器等,，一直是電子產(chǎn)品中主要的時鐘參考組件,，由于沒有替代品，所有原始設(shè)備制造商(OEM)和原始設(shè)計自造商(ODM)均須接受石英產(chǎn)品的局限性,。然而,，隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)進(jìn)入到時鐘產(chǎn)品后，這些利用MEMS技術(shù)生產(chǎn)的組件已提供許多獨特優(yōu)勢,，正加速取代傳統(tǒng)石英組件,。

力壓傳統(tǒng)石英組件MEMS時鐘產(chǎn)品效能吸睛

目前已有上千家廠商在各種應(yīng)用領(lǐng)域使用MEMS時鐘產(chǎn)品，其中以網(wǎng)通,、消費性電子,、PC相關(guān)及儲存裝置為大宗；產(chǎn)品方面包括服務(wù)器,、被動光纖網(wǎng)絡(luò)(PON)的光纖網(wǎng)絡(luò)單元(ONU)及光纖線路終端(OLT),、固態(tài)硬盤(SSD)、磁盤陣列(RAID),、主總線變壓器(Host Bus Adapter, HBA),、數(shù)字相機(jī)(DSC)、平板裝置和電子書等,。

平板,、電子書制造商屬于早期采用MEMS振蕩器的用戶，藉以提高規(guī)格彈性,、降低系統(tǒng)功耗,，同時也受益于MEMS組件較短的交期，加速產(chǎn)品上市,。由于MEMS振蕩器效能近期已達(dá)到三級鐘(Stratum 3)等級,，MEMS時鐘組件的應(yīng)用，將開始拓展至電信,、無線及高階工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,。

硅半導(dǎo)體MEMS時鐘產(chǎn)品不僅具備功能優(yōu)勢，供應(yīng)鏈也較傳統(tǒng)石英產(chǎn)業(yè)健全,。不同于石英元器件,，MEMS時鐘組件不需特殊封裝技術(shù)，可使用成本低廉,，且廣泛運用于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體組件的塑料封裝,。另外,，MEMS諧振器在半導(dǎo)體晶圓代工廠生產(chǎn)制造，擁有高質(zhì)量,、高穩(wěn)定性及大量生產(chǎn)優(yōu)勢,，交貨時間也較短。

根據(jù)摩爾定律(Moore’s Law),，MEMS時鐘產(chǎn)品可依循一般半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)的軌跡,，持續(xù)改善性能。舉例而言,，晶圓代工廠利用奈米(nm)級制程的MEMS諧振器,，將做得更小、更好,，由于硅MEMS諧振器具有亞微米級(Sub-Micron)的電極間距,，隨著每個制程世代演進(jìn)到更小的幾何尺寸時，將大幅提高訊噪比(SNR),。

相反的,，石英晶體諧振器做得愈小，質(zhì)量因子(Q Factor)值愈低,，效能和相位噪聲也愈差,，甚至?xí)斐蓱?yīng)力性能降低，更嚴(yán)重的活性下降(Activity Dips)效應(yīng)(頻率相對溫度不連續(xù)性的特性),，以及更受局限的頻率范圍,。此外，隨著石英晶體被切割得愈薄愈小,，亦將影響良率,，導(dǎo)致制造成本上揚。

改善相位噪聲與抖動MEMS振蕩器威力升級

振蕩器對日益復(fù)雜的電子系統(tǒng)效能將帶來關(guān)鍵性的影響,，主要跟振蕩器性能相關(guān)的規(guī)格有頻率穩(wěn)定性,、抖動及相位噪聲。在頻率穩(wěn)定性方面,，典型石英振蕩器僅能提供20?100ppm的規(guī)格,，而MEMS組件則帶來更好的ppm值，目前已量產(chǎn)MEMS溫度補償振蕩器(TCXO)的SiTime,，已達(dá)成10?50ppm的頻率穩(wěn)定性,。

此外，MEMS振蕩器均內(nèi)建溫度補償功能,，即使處在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍內(nèi)，也能呈現(xiàn)非常出色的頻率穩(wěn)定性,，滿足高階應(yīng)用所需,。這些頻率穩(wěn)定性的比較,，包含因溫度變化、電壓變化,、制程偏差及焊接過程所造成的所有頻率偏差,。

相位噪聲系另一個影響系統(tǒng)性能非常重要的指針。串行通訊應(yīng)用如10Gigabit以太網(wǎng)絡(luò)(10GbE),、串行式先進(jìn)附加接口(SATA),、SAS、光纖,、PCIe及通用序列總線(USB)等,，都有針對所使用的12K?20MHz范圍載波，設(shè)定均方根值(RMS)相位抖動規(guī)格要求,。無線或全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)等應(yīng)用,，則相較應(yīng)用載波低于10KHz以下的近端相位噪聲(Close-in Phase Noise)有嚴(yán)格要求。

MEMS振蕩器在過去3年針對相位噪聲及相位抖動已有巨幅改善,。最新MEMS振蕩器已可提供典型RMS相位抖動達(dá)到500飛秒(fs)及12K?20MHz間最大抖動值小于1皮秒(圖1),。

圖1最新MEMS振蕩器相位噪聲圖

減輕環(huán)境影響MEMS振蕩器可靠又穩(wěn)定

由于電子系統(tǒng)須仰賴時鐘訊號才得以穩(wěn)定工作，因此時鐘組件須在不同的條件跟環(huán)境中均達(dá)成一致的可靠性,。然而,，時鐘組件在實驗室環(huán)境下所測試的結(jié)果不意味能百分百適用于實際工作狀況中，根據(jù)供貨商提供的產(chǎn)品規(guī)格,，一些時鐘組件將無法持續(xù)滿足可靠性需求,。

部分零件對于外來的電磁耐受性(EMS)、電源噪聲(PSRR),、機(jī)械震動及撞擊等外在環(huán)境因素的干擾較為敏感,。一個設(shè)計良好的MEMS諧振器加上先進(jìn)模擬設(shè)計電路，能使MEMS振蕩器在許多外在環(huán)境干擾存在時,，依然能夠保持高效能,、高可靠性的表現(xiàn)。這是另一個系統(tǒng)廠商持續(xù)并不斷擴(kuò)大使用MEMS時鐘組件的原因,。

由于外在環(huán)境因素對頻率穩(wěn)定性及相位抖動影響重大,，包括暴露在不同溫度、電源,、負(fù)載及老化等環(huán)境影響因子下,，一個精準(zhǔn)振蕩器的頻率穩(wěn)定性將隨著時間而改變。一些石英組件對這些影響因子尤其敏感,，導(dǎo)致穩(wěn)定性,、抖動及相位噪聲嚴(yán)重惡化。

另一方面,，外部設(shè)備或電路產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)噪聲,，亦將加重頻率訊號抖動和噪聲耦合現(xiàn)象,。圖2顯示，當(dāng)不同的振蕩器暴露在EMI干擾環(huán)境中工作時,，所產(chǎn)生的相位噪聲噪聲,，此一測試可用來說明金屬上蓋封裝的石英產(chǎn)品，由于其金屬上蓋并沒有實際接地,，故無法提供任何EMS防護(hù),。而當(dāng)中表現(xiàn)最好的MEMS振蕩器，使用所謂In-plane Bulk Mode MEMS諧振器,。

圖2外在EMI對MEMS,、石英、SAW等振蕩器相位噪聲噪聲的影響

圖3是一個MEMS振蕩器跟SAW振蕩器對輸入不同頻率噪聲時,，累計的相位抖動對比數(shù)值,。幾乎在所有測試的噪聲頻率中，MEMS振蕩器均明顯測出較低的抖動數(shù)值,。較低的抖動數(shù)值系由于MEMS振蕩器內(nèi)部供電及偏壓電路,，隔絕由供電電源導(dǎo)致的噪聲。

圖3 MEMS振蕩器(2號線)及SAW振蕩器(1號線)在供電電源上,，面對50mV弦波噪聲時相位抖動數(shù)值的比較,。