一旦確定了大信號模型,就可以使用小信號模型。當(dāng)將小信號施加到晶體管時(shí),它會根據(jù)施加信號的幅度,沿著 IV 特性曲線將工作點(diǎn)移離偏置點(diǎn)。電路通常設(shè)置為這種與直流工作點(diǎn)的偏差會使晶體管改變其工作模式,例如從有源區(qū)進(jìn)入截止區(qū)。
小信號模型通常是雙端口結(jié)構(gòu),通常由 H 參數(shù)、混合 pi 模型或 T 模型組成。H(或混合)參數(shù)使用 Z(或阻抗/開路)參數(shù)、Y(導(dǎo)納/短路)參數(shù)、電壓比和電流比來表示雙端口網(wǎng)絡(luò)中電壓和電流之間的關(guān)系。H 參數(shù)有助于描述難以測量 Z 或 Y 參數(shù)的電路(例如晶體管)的輸入輸出質(zhì)量。混合 pi(也稱為 Giacoletto)模型使用小信號基極-發(fā)射極電壓和集電極-發(fā)射極電壓作為獨(dú)立變量,小信號基極電流和集電極電流作為因變量來表示 BJT。T 或傳輸模型使用與混合 pi 模型類似的關(guān)系,但通常排列方式不同。通過使用矩陣代數(shù)運(yùn)算,通常可以直接將一種類型參數(shù)轉(zhuǎn)換為另一種類型參數(shù)。
包含寄生元件的典型功率 MOSFET 模型。電感通常由封裝的引線接合引起。寄生電容通常由半導(dǎo)體本身的幾何特征引起。 晶體管的大信號和小信號分析都需要選擇模型、指定已知或固定值,以及用數(shù)學(xué)方法求解未知參數(shù)的方程。然而,現(xiàn)代電路通常以足夠高的速度運(yùn)行,因此需要考慮寄生電路元件。正確的 Spice 程序可以通過包括內(nèi)部電容、電阻、增益變化等來提高晶體管模型的準(zhǔn)確性。 但問題是,寄生元件可能沒有得到很好的定義,特別是對于最先進(jìn)的晶體管,例如 GaN 或 SiC 功率器件,在高速切換時(shí)更是如此。例如,功率器件中的寄生電感通常主要是由半導(dǎo)體本身與其封裝之間的引線鍵合引起的。器件制造商繼續(xù)嘗試各種封裝選項(xiàng)以減少此類寄生效應(yīng),但由于這項(xiàng)工作仍在進(jìn)行中,Spice 中的寄生模型可能無法反映實(shí)際器件中的值。因此,可能需要進(jìn)行大量實(shí)驗(yàn)才能準(zhǔn)確表征現(xiàn)代半導(dǎo)體的寄生特性。